碳化硅陶瓷具有高強度、高孔隙率、高滲透性、比表面積大、抗腐蝕、良好的隔熱性、抗熱震性和耐高溫性等特點 ,碳化硅多孔陶瓷在一般工業(yè)領域及高科技領域得到了越來越廣泛的應用，由于碳化硅陶瓷的各種優(yōu)良性能，因此人們非常認可碳化硅陶瓷，所以對碳化硅陶瓷的開發(fā)和研制也是非常多的，下面講幾種制備碳化硅陶瓷的方法。
1、熱壓碳化硅陶瓷 雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一類與碳化硅中的雜質形成液相，通過液相燒結；一類是與SiC形成固溶體降低晶界能燒結。
2、常壓碳化硅陶瓷 常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅，在燒結到2100度以上的溫度下，生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
3、反應碳化硅陶瓷 反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右，通過氣相與C反應生成。
