碳化硅很難燒結(jié)。其晶界能與表面能之比很高，同時(shí)碳化硅燒結(jié)時(shí)擴(kuò)散速率很低，它表面的氧化膜也起擴(kuò)散勢(shì)壘的作用。因此碳化硅需借助添加劑或壓力或滲硅反應(yīng)才能獲得致密材料。綜合制造碳化硅陶瓷的成型技術(shù)主要有以下方法：
1、陶瓷結(jié)合碳化硅 碳化硅粉料的粗粒部分與粘土相結(jié)合，利用普通陶瓷方法成形，然后在1400℃左右溫度下燒成。燒過(guò)的粘土將碳化硅顆粒結(jié)合在一起，雖然顆粒僅是松結(jié)合，但對(duì)許多用途來(lái)說(shuō)（如耐火材料、砂輪等）已足夠了。在n2氣氛下通空氣或不通空氣煅燒碳化硅顆粒和游離硅的混合物可以生產(chǎn)出具有提升了高溫強(qiáng)度的氨化硅結(jié)合或氮氧化硅結(jié)合碳化硅產(chǎn)品。
2、再結(jié)晶碳化硅 利用泥漿澆注法制成坯體密度很高的碳化硅成型件．坯體在隔絕空氣條件下用電爐于高達(dá)2500℃溫度下燒成，在2100℃以上溫度下產(chǎn)生蒸發(fā)和凝聚作用，形成無(wú)收編自結(jié)合結(jié)構(gòu)。燒前和密度保持不變，在晶體之間形成固態(tài)碳化硅結(jié)合。這種r－碳化硅其碳化硅含量可達(dá)到 100％，密度可達(dá)2.6g/cm3，氣孔率約為20％。
3、反應(yīng)燒結(jié)結(jié)合碳化硅 反應(yīng)燒結(jié) 碳化硅又稱(chēng)自結(jié)合 碳化硅，是由 碳化硅、c和含c結(jié)合劑按一定比冽混合制成坯體，坯體可以用一種常規(guī)陶瓷成型技術(shù)成型（如干壓、泥漿澆注、擠壓等），然后加熱到1650℃左右，并同時(shí)熔滲液態(tài)硅或氣相硅，并使之與元素碳發(fā)生反應(yīng)將碳化硅顆粒結(jié)合起來(lái)。如果允許完全滲硅，那么可以獲得無(wú)孔密實(shí)體（si－碳化硅）。硅滲透也被用于填充再結(jié)晶碳化硅。滲透碳化硅中的游離si含量通常在10～15％之間。一種新的rb－碳化硅致密材料（全部碳化硅含量均在燒結(jié)反應(yīng)中通過(guò)化學(xué)合成）正在發(fā)展中，這種材料先由致密細(xì)粒碳制成坯體，氣孔被液態(tài)硅填充并生成碳化硅。
4、無(wú)壓力燒結(jié)碳化硅 僅在70年代初期才使無(wú)壓力燒結(jié)碳化硅達(dá)到超過(guò)理論密度95％的密度成為可能，原料用亞微級(jí)的碳化硅粉料，同時(shí)加入多達(dá)2％的碳和硼。也可用al及其化合物或be及其化合物代替b及其化合物。這種方法是生產(chǎn)致密和復(fù)雜的純碳化硅制件的廉價(jià)方法。根據(jù)要求的形狀將粉料壓成坯體，燒結(jié)是在惰性氣氛中或真空中于2000℃左右溫度之間進(jìn)行的。在燒結(jié)過(guò)程中發(fā)生碳化硅晶型轉(zhuǎn)化和晶粒生長(zhǎng)，其程度取決于類(lèi)型、燒結(jié)添加劑數(shù)量和燒結(jié)溫度。
5、熱壓燒結(jié)碳化硅 用hp法制成的致密碳化硅部件具有機(jī)械性能。在純碳化硅粉料中添加少量助燒結(jié)劑制成坯體，在一定的熱壓條件下使坯體達(dá)到致密燒結(jié)。這種方法需耗費(fèi)大量的能源和模料，因此一般只用于生產(chǎn)簡(jiǎn)單、形狀不復(fù)雜的小型件，制件通過(guò)機(jī)械加工生產(chǎn)。
6、一種新的hp法叫熱等靜壓法 通過(guò)在真空密封箱內(nèi)將碳化硅粉料或碳化硅預(yù)制件熱壓到密度恰好等于理論密度且具有均勻的細(xì)粒顯微結(jié)構(gòu)，就可以生產(chǎn)出高純碳化硅制品來(lái)。因?yàn)榫哂斜萮p法高20mpa的等靜壓，因而不需要助燒結(jié)劑。
將無(wú)壓力燒結(jié)碳化硅再進(jìn)行熱壓燒結(jié)，使碳化硅型件的密度達(dá)到理論密度的百分之99以上。這種新工藝叫做“熱等靜壓燒結(jié)局的致密”。hp－碳化硅是目前獲得機(jī)械性能的是合適方法。
